标准要求:
该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。
技术参数及功能介绍
规格型号 | BCD-310 |
1.方块电阻范围 | 10-5~2×105Ω/□ |
2.电阻率范围 | 10-6~2×106Ω-cm |
3.测试电流范围 | 0.1μA,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA |
4.电流精度 | ±0.1%读数 |
5.电阻精度 | ≤0.3% |
6.显示读数 | 大屏液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率 |
7.测试方式 | 双电测量 |
8.工作电源 | 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:<30W |
9.整机不确定性误差 | ≤3%(标准样片结果) |
10.选购功能 | 选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台 |
1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下:
直线四探针测试布局如图8,相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理:
当电流通过1、4探针,2、3探针测试电压时计算如下:
四探针测试结构
当电流通过1、2探针,4、3探针测试电压时计算如下:从以上计算公式可以看出:方阻RS只取决于R1和R2,与探针间距无关.针距相等与否对RS的结果无任何影响,本公司所生产之探全部采用等距,偏差微小,对测试结果加。